Präzise kryogene Messstation für elektrische und magnetische Tests von Halbleitern, Spintronik und Mikro-Nano-Geräten unter Tieftemperaturbedingungen.
Automatisierte Wafer-Level-Messstation mit In-Plane-Magnetfeldsteuerung, ±1% Feldgleichförmigkeit, Echtzeit-Feedback und 0,02 mT Auflösung.
Vielseitige kryogene Messstation mit Mehrachsen-Magnetfeldsteuerung und Tieftemperaturtests. Ideal für Halbleiter, MEMS und supraleitende Materialien.
Zweiachsige kryogene Messstation für vertikale und In-Plane-Magnetfelder mit ±1% Gleichförmigkeit und 0,02 mT Auflösung. Ideal für Halbleitertests.
Hochpräzise kryogene Messstation für stabile 1D-In-Plane-Magnetfelder mit ±1% Gleichförmigkeit und 0,02 mT Auflösung. Geeignet für Materialtests.
Hochpräzise Wafer-Level-Messstation mit Vertikalmagnetfeld, ±1% Feldgleichförmigkeit und 0,02 mT Auflösung. Entwickelt für kryogene Materialtests.
Kryogene Messstation mit uniformem 1D-Vertikalmagnetfeld (±1%@⌀2 mm) und hochauflösender Feldüberwachung (0,02 mT).
Hochpräzise Messstation für die Prüfung magnetischer und elektrischer Eigenschaften von Halbleitern und spintronischen Bauteilen unter In-Plane-Magnetfeldern bis zu 330 mT.