Прецизионная криогенная зондовая станция для электрических и магнитных испытаний полупроводников, спинтроники и микро-наноустройств в условиях низких температур.
Автоматизированная зондовая станция для пластин с контролем планарного магнитного поля, однородностью поля ±1%, обратной связью в реальном времени и разрешением 0,02 мТл.
Универсальная криогенная зондовая станция, обеспечивающая многоосевой контроль магнитного поля и низкотемпературное тестирование. Идеально подходит для полупроводников, МЭМС и сверхпроводящих материалов.
Двухосевая криогенная зондовая станция, обеспечивающая вертикальные и планарные магнитные поля с однородностью ±1% и разрешением 0,02 мТл. Идеально подходит для тестирования полупроводников.
Высокоточная криогенная зондовая станция, обеспечивающая стабильные 1D планарные магнитные поля с однородностью ±1% и разрешением 0,02 мТл. Подходит для испытания материалов.
Высокоточная зондовая станция для пластин с вертикальным магнитным полем, однородностью поля ±1% и разрешением 0,02 мТл. Разработана для криогенных испытаний материалов.
Криогенная зондовая станция, обеспечивающая однородное 1D вертикальное магнитное поле (±1%@⌀2 мм) с высокоточным мониторингом поля (0.02 мТл).
Высокоточная зондовая станция для тестирования магнитных и электрических свойств полупроводников и спинтронных устройств в плоскостных магнитных полях до 330 мТл.